半導體放電管簡稱TSS。TSS是根據(jù)可控硅原理采用離子注入技術生產(chǎn)的一種新型保護器件，具有精確導通快速響應（響應時間ns級）、浪涌吸收能力較強、雙向對稱、可靠性高等特點。由于其浪涌通流能力較同尺寸的TVS管強，可在無源電路中代替TVS管使用。但它的導通特性接近于短路，不能直接用于有源電路中，在這樣的電路中使用時必須加限流元件，使其續(xù)流小于最小維持電流。半導體過壓保護器有貼裝式、直插式和軸向引線式三種封裝形式。 　　1、半導體放電管的Vdm應高于被保護電路的最大直流或連續(xù)工作電壓、電路的額定標準電壓和高端容限。串行鏈接分電壓，并行鏈接分電流。
　　2、轉折電壓Vbo必須小于被保護電路所允許的最大瞬間峰值電壓。
　　3、半導體放電管的Ipp應大于電路瞬態(tài)浪涌電流。
　　4、根據(jù)PCB布局或喜歡選用半導體放電管封裝結構。